Diodien soveltaminen matkapuhelimien nopeaan lataustekniikkaan

1, nopean lataustekniikan ydinhaasteet ja diodien strateginen arvo
Älypuhelimien alalla nopeasta lataustekniikasta on tullut avainindikaattori käyttökokemuksen parantamiseksi. Latausnopeuden pullonkaula ei kuitenkaan ole vain latauspään tehon, myös energian muuntamisen tehokkuudessa piirin sisällä. Korjaamisen, vapaan pyörivän ja kiinnittimen ydinlaitteena diodien suorituskyky vaikuttaa suoraan laturien tehotiheyteen, lämpötilan nousun hallintaan ja tilavuuden optimointiin.
Esimerkkinä perinteisten piisiodien ottaminen niiden eteenpäin suuntautuva jännitepisara (VF) on noin 0,7 V. 100 W Jos Schottky -diodia (vf =0.3 v) käytetään, häviö voidaan vähentää 3W: ksi ja tehokkuutta voidaan parantaa 4%. Korkeissa - taajuuden kytkentävirtalähteissä liiallisesti pitkä käänteisen talteenottoaika (TRR) voi johtaa jännitekohtiin, pakottaen suunnittelijat käyttämään suurempia kapasiteetin suodatuskondensaattoreita ja magneettikomponentteja lisäämällä äänenvoimakkuutta ja kustannuksia.
2, tulevat teknologiatrendit ja innovaatioohjeet
Materiaalien innovaatio
GAN -diodi: Laboratorionäytteiden VF on pelkistetty arvoon 0,1 V, tukemaan GHz -tason kytkentätaajuuksia, ja sen odotetaan kaupallistavan vuoteen 2026 mennessä.
Diamond -diodi: Lämmönjohtavuudella 2200W/m · K, se ratkaisee lämmön hajoamisen pullonkaulan ja sopii korkealle - tehotiheysskenaarioille.
Tekninen läpimurto
3D -pakkaus: TSV -tekniikka mahdollistaa diodien ja kuljettajan sirujen pystysuuntaisen pinoamisen vähentäen loisten induktanssia 60%.
Digitaalinen virtalähde: Adaptiivisten algoritmien yhdistäminen dynaamisesti diodien työtavan säätämiseksi, tehokkuusvaihtelujen ollessa alle 1%.
Järjestelmätason optimointi
Hybriditopologia: Yhdistämällä sic -diodit pii - pohjaisten laitteiden kanssa, tasapainottamalla korkeataajuutta ja alhaisia ​​kustannuksia.
Integroitu moduuli: Esimerkiksi voimamoduuli integroi diodeja, MOSFET: itä ja kuljettajapiirejä, pienentäen kokoa 50%.
3, markkinavetoinen ja ekologinen synergia
Kulutuselektroniikka: 5G -laitteiden ja AR/VR -laitteiden kysyntä kasvaa, ja korkeiden -}}}}}}}}}}}}}}}}}}}} -tehokkuus diodien odotetaan saavuttavan 8%.
Uudet energiaajoneuvot: Autolaturi ottaa käyttöön siciodisuunnitelman, ja jokaisesta 1 prosentin tehokkuuden lisääntymisestä alue kasvaa 2 km.
Vakiokehitys: USB PD3.1, QC5.0 ja muut protokollat ​​ajavat laturien kehittämistä kohti korkeataajuutta ja suuria tehoja, pakottaen innovaatiot dioditekniikassa.
https://www.trrsemicon.com/diode/smd {{2} diode/gs1a/{4 }gs1m.html