Mikä on PNP-transistorin kokoonpano?

1, PNP-transistorin perusperiaate
PNP-transistorit koostuvat kahdesta P-tyypin puolijohdemateriaalista, jotka kerrostavat N-tyypin puolijohdemateriaalin muodostaen "PNP"-järjestelysekvenssin. Tässä rakenteessa P-tyypin alue toimii emitterinä (E) ja kollektorina (C), kun taas N-tyypin alue toimii perustana (B). PNP-transistorien toimintaperiaate perustuu reikien virtaus- ja rekombinaatioprosessiin. Kun kanta on positiivisesti biasoitu suhteessa emitteriin ja kollektori on biasoitu negatiivisesti kantaan nähden, emitterin P-tyyppisessä materiaalissa olevat reiät vetäytyvät kannan N-tyypin alueelle ja yhdistyvät siellä uudelleen elektronien kanssa muodostaen perusvirta. Samaan aikaan jotkut reiät ylittävät peruskollektoriliitoksen ja tulevat kollektorin P-tyypin alueelle muodostaen kollektorivirran. Tämän prosessin aikana perusvirran muutos ohjaa kollektorivirran suuruutta, mikä saavuttaa virran vahvistuksen.
2, PNP-transistorin konfigurointimenetelmä
PNP-transistorien peruspiirikokoonpano sisältää kolme tyyppiä: yhteinen emitterikonfiguraatio, yhteinen kantakonfiguraatio ja yhteinen kollektorikonfiguraatio. Niistä yleinen emitterikokoonpano on yleisimmin käytetty ja myös tämän artikkelin keskustelun painopiste.
Yhteinen lähetinkokoonpano: Tässä kokoonpanossa emitteri on tulon ja lähdön yhteinen liitin. Tukiasema vastaanottaa tulosignaalin ja kollektori lähettää vahvistetun signaalin. Koska PNP-transistorien emitteri on kytketty piirin negatiiviseen napaan (tai maahan), tulosignaali on yleensä positiivinen jännitepulssi tai positiivinen bias-jännite. Kerääjä on kytketty virtalähteen positiiviseen napaan kuormitusvastuksen kautta muodostaen virtasilmukan.
PNP-transistorien normaali toiminta vaatii asianmukaisia ​​bias-olosuhteita. Tavallisessa emitterikonfiguraatiossa on yleensä tarpeen asettaa positiivinen bias-jännite kantaan, jotta kantaemitteriliitos saadaan eteenpäin johtavaan tilaan. Samanaikaisesti kollektorin kantaliitoksen tulisi säilyttää käänteinen esijännite sen varmistamiseksi, että kollektorivirta virtaa pääasiassa emitteristä kollektoriin eikä kantaoikosulun kautta. Tämän saavuttamiseksi bias-vastus voidaan kytkeä sarjaan kannan ja emitterin väliin, ja kantavirran suuruutta voidaan säätää säätämällä vastuksen resistanssiarvoa, jolloin ohjataan kollektorivirtaa.
Kuorman ja kytkentätavan valinta ovat myös ratkaisevia PNP-transistorien konfiguroinnissa. Kuorma voi olla vastus, kela, kondensaattori tai niiden yhdistelmä, jota käytetään muuntamaan kollektorivirta halutuksi jännitteeksi tai tehoksi. Kytkentämenetelmä määrittää, kuinka tulosignaali välitetään transistorille ja kuinka lähtösignaali lähetetään transistorista. Yleisiä kytkentämenetelmiä ovat suora kytkentä, kapasitiivinen kytkentä ja muuntajakytkentä. PNP-transistorien konfiguraatiossa kapasitiivista kytkentää käytetään laajalti, koska se pystyy eristämään DC-komponentteja ja lähettämään vain AC-signaaleja.
3, PNP-transistorien konfigurointistrategiat erilaisissa sovellusskenaarioissa
Vahvistuspiireissä PNP-transistorit on tyypillisesti konfiguroitu yhteisiksi emitterivahvistimiksi. Säätämällä bias- ja kuormitusvastuksen resistanssiarvoja voidaan saavuttaa erilaisia ​​vahvistustekijöitä ja lähtöominaisuuksia. Lisäksi vahvistimen suorituskyvyn parantamiseksi edelleen voidaan käyttää tekniikoita, kuten monivaiheista vahvistusta ja negatiivista takaisinkytkentää.
Kytkinpiireissä PNP-transistoreja käytetään elektronisina kytkiminä. Säätämällä kantavirran suuruutta transistori voi vaihtaa kyllästymisalueen ja katkaisualueen välillä, jolloin saadaan aikaan piirin päälle/pois ohjaus. Kytkinpiirejä konfiguroitaessa tulee kiinnittää erityistä huomiota transistorien kytkentänopeuteen ja tehonkulutukseen sekä suojapiirien suunnitteluun.
Vaikka PNP-transistoreja ei käytetä yhtä laajasti jännitteensäätöpiireissä kuin NPN-transistoreja, niitä voidaan käyttää myös jännitteensäätökomponentteina tietyissä erityistilanteissa. Esimerkiksi PNP-transistoreja käyttävässä sarjasäädinpiirissä lähtöjännite voidaan stabiloida säätämällä transistorin kantajännitettä ja kuormitusvastuksen resistanssia.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1013-sot-89-3l.html